第110章 110章
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  “首先是光刻机！”林志远指向实验室一角那台被重重防护、看起来异常复杂的设备，“我们根据您提供的一些关於『光源波长与解析度极限』的理论方向，联合长春光机所和上海的几个材料实验室，攻关了大半年，成功改进了现有的步进式光刻机。
  採用新型准分子雷射光源和特殊设计的浸润式透镜系统，实现了稳定產生100纳米波长的紫外光曝光！这让我们在理论上可以突破以往的光刻极限！”
  江辰眼中精光爆闪！100纳米光源！这在1988年，绝对是世界领先水平！
  要知道，歷史上业界普遍使用248纳米krf准分子雷射光源要到九十年代初，而100纳米级別的arf光源广泛应用更是九十年代中期以后的事情！
  这一步跨越，得益於他提供的模糊但正確的物理原理指向，以及不惜成本的研发投入和国內顶尖光学人才的集体智慧。
  “基於新的光刻能力，我们调整了蚀刻和掺杂工艺。”
  林志远继续匯报，语气带著自豪，“第一片试生產的晶圆已经下线，初步测试结果显示，我们成功实现了 0.14微米（140纳米） 的製程工艺！
  虽然良品率还很低，不到5%，但这证明工艺路线是可行的！”
  0.14微米！江辰感到一阵轻微的眩晕。
  这个製程，在原本的歷史上，是英特尔在2001年左右才在pentium 4处理器上广泛应用的技术节点！
  而他现在，在1988年，就已经摸到了门槛！
  这是何等惊人的飞跃！
  虽然他知道这离不开自己“作弊”般的方向指引和近乎无限的资源支持，但国內科研人员和工程师们爆发出的潜力，依然让他震撼。
  “那么，晶片本身呢？”江辰的声音依旧平稳，但微微收紧的拳头暴露了他的心情。
  林志远小心翼翼地用特製镊子夹起一片硅片，放到高倍电子显微镜的成像屏幕前。