第59章 为了国家半导体发展去培养人才（求追读！）
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  很快就调整好心態。
  从隨身的挎包中，掏出纸笔记下江阳所说的问题。
  ……
  接下来。
  轮到李智俭。
  他选择的问题。
  是高电场下的载流子雪崩击穿机制的定量分析。
  实话说。
  这放在国际学界，都是一个难题。
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  首篇硅雪崩二极体专利，都是到了60年，才由贝尔实验室申请。
  想在国內研究。
  基础的雪崩击穿理论，非常难获取不说。
  比较关键的载流子热化效应也尚未完全阐明。
  只依靠简化的模型。